Продукція > ONSEMI > BCW66GLT3G

BCW66GLT3G onsemi


bcw66glt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.77 грн
20000+1.54 грн
30000+1.45 грн
50000+1.27 грн
70000+1.22 грн
100000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GLT3G onsemi

Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 160, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BCW66GLT3G за ціною від 1.78 грн до 14.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW66GLT3G BCW66GLT3G onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 225090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.53 грн
41+7.46 грн
100+4.62 грн
500+3.16 грн
1000+2.77 грн
2000+2.45 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G onsemi bcw66glt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
на замовлення 543139 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
21+14.90 грн
35+8.79 грн
100+4.75 грн
500+3.42 грн
1000+2.67 грн
5000+2.30 грн
10000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G bcw66glt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 225090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.53 грн
41+7.46 грн
100+4.62 грн
500+3.16 грн
1000+2.77 грн
2000+2.45 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G bcw66glt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
на замовлення 543139 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+14.90 грн
35+8.79 грн
100+4.75 грн
500+3.42 грн
1000+2.67 грн
5000+2.30 грн
10000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.