Продукція > ONSEMI > BCW66GLT3G
BCW66GLT3G

BCW66GLT3G onsemi

bcw66glt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.28 грн
20000+1.98 грн
30000+1.88 грн
50000+1.64 грн
70000+1.58 грн
100000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GLT3G onsemi

Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 160, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BCW66GLT3G за ціною від 1.54 грн до 13.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
на замовлення 629312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.76 грн
50+6.75 грн
100+3.01 грн
1000+2.35 грн
2500+2.13 грн
10000+1.76 грн
20000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 229935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
38+8.26 грн
100+5.08 грн
500+3.47 грн
1000+3.04 грн
2000+2.69 грн
5000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf BCW66GLT3G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI BCW66GLT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.