BCW66GLT3G

BCW66GLT3G ON Semiconductor


bcw66glt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GLT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 160, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BCW66GLT3G за ціною від 1.23 грн до 13.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.87 грн
20000+1.62 грн
30000+1.53 грн
50000+1.34 грн
70000+1.29 грн
100000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.70 грн
20000+2.48 грн
30000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.90 грн
20000+2.66 грн
30000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.76 грн
20000+3.07 грн
30000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.03 грн
20000+3.29 грн
30000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 225090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.22 грн
41+7.88 грн
100+4.88 грн
500+3.33 грн
1000+2.93 грн
2000+2.58 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi BCW66GLT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
на замовлення 621316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.81 грн
42+8.52 грн
100+4.58 грн
500+3.36 грн
1000+2.60 грн
5000+2.21 грн
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI BCW66GLT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.