BCW66GVL

BCW66GVL Nexperia


bcw66x_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 40000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GVL Nexperia

Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW66, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BCW66GVL за ціною від 1.41 грн до 13.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : Nexperia bcw66x_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 40000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : Nexperia USA Inc. BCW66X_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.98 грн
20000+1.72 грн
30000+1.62 грн
50000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.89 грн
1000+1.97 грн
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : Nexperia USA Inc. BCW66X_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.24 грн
44+7.15 грн
100+4.43 грн
500+3.03 грн
1000+2.65 грн
2000+2.34 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : Nexperia BCW66X_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor
на замовлення 27205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.47 грн
43+8.16 грн
100+4.45 грн
500+2.87 грн
1000+2.11 грн
5000+1.81 грн
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.71 грн
102+8.38 грн
162+5.24 грн
500+2.89 грн
1000+1.97 грн
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : NEXPERIA bcw66x_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL Виробник : NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : Nexperia bcw66x_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Виробник : Nexperia bcw66x_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.