BCW66GVL Nexperia USA Inc.


BCW66X_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GVL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW66, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BCW66GVL за ціною від 1.74 грн до 20.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW66GVL BCW66GVL NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.38 грн
114+7.14 грн
500+4.77 грн
1000+3.87 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Nexperia BCW66X_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A NPN BJ T
на замовлення 26931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.87 грн
45+7.13 грн
100+3.83 грн
500+2.79 грн
1000+2.16 грн
2500+1.95 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL Nexperia USA Inc. BCW66X_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
55+5.56 грн
100+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66GVL NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.00 грн
72+11.38 грн
114+7.14 грн
500+4.77 грн
1000+3.87 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66X_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.38 грн
114+7.14 грн
500+4.77 грн
1000+3.87 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66X_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A NPN BJ T
на замовлення 26931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+11.87 грн
45+7.13 грн
100+3.83 грн
500+2.79 грн
1000+2.16 грн
2500+1.95 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66X_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
39+7.85 грн
55+5.56 грн
100+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66GVL BCW66X_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+20.00 грн
72+11.38 грн
114+7.14 грн
500+4.77 грн
1000+3.87 грн
5000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.