Продукція > NEXPERIA > BCW66HR
BCW66HR

BCW66HR NEXPERIA

BCW66X_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...600
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 1A
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.16 грн
73+5.73 грн
84+4.99 грн
136+3.07 грн
250+2.48 грн
500+1.83 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66HR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW66, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BCW66HR за ціною від 4.07 грн до 11.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW66HR BCW66HR Nexperia USA Inc. BCW66X_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
45+6.66 грн
100+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66HR Nexperia BCW66X_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BCW66H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66HR NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66HR NEXPERIA BCW66X_SER.pdf Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66X_SER.pdf
BCW66HR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
45+6.66 грн
100+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66X_SER.pdf
BCW66HR
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BCW66H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66X_SER.pdf
BCW66HR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW66HR BCW66X_SER.pdf
BCW66HR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW66
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.