на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW66HTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCW66HTA за ціною від 3.37 грн до 29.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW66HTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCW66HTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 1296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCW66HTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCW66HTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation |
на замовлення 10431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 1298778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCW66HTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
BCW66HTA NPN SMD transistors |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|