BCW67BE6327HTSA1

BCW67BE6327HTSA1 Infineon Technologies


bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 379951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5495+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 5495
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW67BE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BCW67BE6327HTSA1 за ціною від 1.18 грн до 1.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCW67BE6327HTSA1 Виробник : Infineon bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e PNP 800mA 32V 330mW 200MHz BCW67B TBCW67b
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
BCW67BE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcw67_bcw68.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCW67BE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcw67_bcw68.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCW67BE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
BCW67BE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCW67-DS-v01_01-en-1225515.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
товар відсутній