BCW68FVL Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9260+ | 3.79 грн |
| 10381+ | 3.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW68FVL Nexperia
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW68, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCW68FVL за ціною від 1.82 грн до 11.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW68FVL | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCW68FVL | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT |
на замовлення 8734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
BCW68FVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BCW68FVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCW68FVL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.55 грн |
| 45+ | 6.67 грн |
| 100+ | 4.11 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| 2000+ | 2.17 грн |
| 5000+ | 1.82 грн |
| BCW68FVL |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT
на замовлення 8734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCW68FVL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCW68FVL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)