Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCW68GE6327HTSA1

BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies

Name: BCW68GE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 25963435-5
Price: 32377.36 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7426+	4.36 грн
10000+	3.88 грн

Мінімальне замовлення: 7426

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BCW68GE6327HTSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BCW68GE6327HTSA1	Виробник : Infineon		на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
BCW68GE6327HTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCW68GE6327HTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCW68GE6327HTSA1	Виробник : Infineon Technologies	Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.