BCW68GVL Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9260+ | 3.82 грн |
| 10381+ | 3.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW68GVL Nexperia
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW68, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCW68GVL за ціною від 1.67 грн до 17.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW68GVL | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 79960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCW68GVL | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCW68GVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCW68GVL | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 9523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCW68GVL | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT |
на замовлення 11345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCW68GVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BCW68GVL |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 79960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9260+ | 3.82 грн |
| 10381+ | 3.40 грн |
| BCW68GVL |
|
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9260+ | 3.82 грн |
| 10381+ | 3.40 грн |
| BCW68GVL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.81 грн |
| 122+ | 6.70 грн |
| 500+ | 4.57 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |
| BCW68GVL |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.76 грн |
| 45+ | 6.72 грн |
| 100+ | 4.14 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.47 грн |
| 2000+ | 2.18 грн |
| 5000+ | 1.83 грн |
| BCW68GVL |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .8A PNP BJT
на замовлення 11345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 11.87 грн |
| 45+ | 7.13 грн |
| 100+ | 3.83 грн |
| 500+ | 2.79 грн |
| 1000+ | 2.16 грн |
| 5000+ | 1.88 грн |
| 10000+ | 1.67 грн |
| BCW68GVL |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCW68
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 17.80 грн |
| 76+ | 10.81 грн |
| 122+ | 6.70 грн |
| 500+ | 4.57 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |