BCW68HE6327HTSA1 Infineon
Виробник: Infineon
PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) BCW68H smd TBCW68h
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW68HE6327HTSA1 Infineon
Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW68HE6327HTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCW68HE6327HTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA
Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)