BCW70LT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18073+ | 1.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW70LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BCW70LT1G за ціною від 1.15 грн до 13.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW70LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW70LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW70LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 342 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW70LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP |
на замовлення 10021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 26555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW70LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW70LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BCW70LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
PNP 100mA 45V 350mW 150MHz BCW70,215 , BCW70,235 , BCW70LT1G BCW70 smd TBCW70 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|