BCW89,215 Nexperia
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7615+ | 1.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW89,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCW89,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60 V, -100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: -100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BCW89,215 за ціною від 1.43 грн до 16.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW89,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 0.1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW89,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60 V, -100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCW89/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 20315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 0.1A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW89,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -60 V, -100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BCW89,215 | Виробник : NEXPERIA |
BCW89.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 918 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCW89,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW89,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
BCW89,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |



