
у наявності 120 шт:
120 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 2.50 грн |
10+ | 1.90 грн |
100+ | 1.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCX19LT1G за ціною від 1.37 грн до 15.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 318000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 28440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 23475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 32410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCX19LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCX19LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |