BCX52-16 SLKOR
Виробник: SLKOR
Transistor PNP; 250; 500mW, 60V; 1A; 125MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCX52-16,115; BCX52-16,135; BCX5216E6327HTSA1; BCX5216E6433HTMA1; BCX5216H6327XTSA1; BCX5216H6433XTMA1; BCX5216TA; BCX52-16-TP; BCX52-16 SLKOR TBCX5216 SLK
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 3.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX52-16 SLKOR
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BCX52-16 за ціною від 3.37 грн до 5.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCX52-16 | Yangjie Technology |
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BCX5216 | PHI |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCX52-16 |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 5.36 грн |
| 5000+ | 4.86 грн |
| 10000+ | 4.64 грн |
| 20000+ | 4.07 грн |
| 40000+ | 3.65 грн |
| 100000+ | 3.37 грн |