Продукція > DIODES INCORPORATED > BCX5316-13R

BCX5316-13R Diodes Incorporated

Name: BCX5316-13R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 27300336-3
Price: 350.35 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	26.95 грн
21+	15.49 грн
100+	9.75 грн
500+	6.80 грн
1000+	6.04 грн
2000+	5.40 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCX5316-13R Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції BCX5316-13R

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BCX5316-13R	Виробник : Diodes Inc	Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCX5316-13R	Виробник : Diodes Zetex	Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCX5316-13R	Виробник : Diodes Incorporated	Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCX5316-13R	Виробник : Diodes Incorporated	Bipolar Transistors - BJT PNP Med PWR -1A 10 and 16 -500mV	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.