BCX53TX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BCX53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX53T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 9.44 грн |
| 1000+ | 8.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX53TX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-62, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCX53T, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCX53TX за ціною від 5.85 грн до 36.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCX53TX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4805000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCX53TX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCX53TX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCX53TX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX53T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCX53TX | Виробник : NEXPERIA |
PNP power bipolar transistors |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BCX53TX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

