BCX56-10-QF NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BCX56-10-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.35W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.10 грн |
| 500+ | 16.03 грн |
| 1000+ | 13.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX56-10-QF NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX56-10-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.35W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.35W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCX56-10-QF за ціною від 6.97 грн до 60.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCX56-10-QF | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A NPN MED PWR |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCX56-10-QF | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX56-10-QF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCX56-10-QF | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| BCX56-10-QF | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
BCX56-10-QF | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BCX56-10-QF | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |