BCX5610
Виробник:
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX5610
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-89, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції BCX5610
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BCX56-10 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BCX56-10 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1.5A кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BCX56-10 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|
BCX56-10 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
BCX5610 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BCX56-10 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1.5A |
товару немає в наявності |