BCX5616QTA Diodes Inc
на замовлення 403000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 3.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX5616QTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - BCX5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCX56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCX5616QTA за ціною від 4.42 грн до 27.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 401000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 403000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCX5616QTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Application: automotive industry |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCX5616QTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCX5616QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCX5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCX56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 59108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor |
на замовлення 11109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCX5616QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCX5616QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCX56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCX5616QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BCX5616QTA Код товару: 160071 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|