BCY58-X TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 340 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCY58-X TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 32V 100MA 340MW TH TRANSISTOR-SM, Power - Max: 340 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-18, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Box.
Інші пропозиції BCY58-X TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCY58-X TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCY58-X TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.