BCY59-IX PBFREE Central Semiconductor


BCY58_59-3193956.pdf
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+203.66 грн
10+130.89 грн
100+83.79 грн
500+69.69 грн
1000+59.70 грн
2000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCY59-IX PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-18, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-18, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 630 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BCY59-IX PBFREE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCY59-IX PBFREE BCY59-IX PBFREE Central Semiconductor Corp BCY58-59.PDF Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-18
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 630 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCY59-IX PBFREE BCY58-59.PDF
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-18
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-18
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 630 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.