BD13516S ON Semiconductor


bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 6313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1093+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13516S ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.

Інші пропозиції BD13516S за ціною від 32.29 грн до 81.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD13516S BD13516S ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1093+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13516S BD13516S onsemi BD139-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.21 грн
100+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13516S BD13516S onsemi BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 17319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13516S bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1093+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13516S BD139-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.52 грн
10+49.21 грн
100+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13516S BD139-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 17319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.