BD135G ON Semiconductor


bd135-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD135G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BD135G за ціною від 19.63 грн до 82.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BD135G BD135G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135G onsemi BD135-D.PDF Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.27 грн
10+47.31 грн
100+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135G onsemi BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W NPN
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.16 грн
10+50.38 грн
100+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.77 грн
16+51.83 грн
100+34.07 грн
500+25.30 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G ON Semiconductor BD135-D.PDF
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G bd135-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+78.27 грн
10+47.31 грн
100+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W NPN
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.16 грн
10+50.38 грн
100+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD135G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.77 грн
16+51.83 грн
100+34.07 грн
500+25.30 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD135G BD135-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.