BD135TG

BD135TG ON Semiconductor


bd135-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
на замовлення 21050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1237+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 1237
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD135TG ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.

Інші пропозиції BD135TG за ціною від 22.36 грн до 87.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD135TG BD135TG Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1237+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 1237
В кошику  од. на суму  грн.
BD135TG BD135TG Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1237+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 1237
В кошику  од. на суму  грн.
BD135TG BD135TG Виробник : onsemi BD135_D-1802410.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.38 грн
10+57.53 грн
100+34.36 грн
500+27.88 грн
1000+24.20 грн
1700+23.62 грн
5100+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BD135TG BD135TG Виробник : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
50+39.27 грн
100+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD135TG Виробник : ONSEMI ONSMS37603-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD135TG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
BD135TG BD135TG Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.