BD135TG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 946+ | 37.14 грн |
| 1026+ | 34.24 грн |
| 10000+ | 30.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD135TG ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції BD135TG за ціною від 33.17 грн до 83.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD135TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BD135TG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube |
на замовлення 9695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BD135TG | onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BD135TG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BD135TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD135TG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 16645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. |
| BD135TG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 946+ | 37.14 грн |
| 1026+ | 34.24 грн |
| BD135TG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
на замовлення 9695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 946+ | 37.14 грн |
| 1026+ | 34.24 грн |
| BD135TG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.90 грн |
| 50+ | 37.39 грн |
| 100+ | 33.17 грн |
| BD135TG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor
Bipolar Transistors - BJT 1.5 A, 45V NPN Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD135TG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD135TG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD135TG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




