BD13616STU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13616STU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13616STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD13616STU за ціною від 21.13 грн до 73.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD13616STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 62985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13616STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13616STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13616STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13616STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13616STU | onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13616STU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD13616STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 62985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1253+ | 28.23 грн |
| 10000+ | 25.17 грн |
| BD13616STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1253+ | 28.23 грн |
| BD13616STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.49 грн |
| 26+ | 29.34 грн |
| 60+ | 29.04 грн |
| 100+ | 26.49 грн |
| 120+ | 24.36 грн |
| 500+ | 22.75 грн |
| 832+ | 21.47 грн |
| 1000+ | 21.13 грн |
| BD13616STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13616STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD13616STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 72.91 грн |
| 25+ | 32.68 грн |
| 100+ | 28.94 грн |
| 500+ | 24.61 грн |
| 1000+ | 22.02 грн |
| BD13616STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.68 грн |
| 60+ | 31.90 грн |
| 120+ | 28.29 грн |
| BD13616STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





