BD13616STU ON Semiconductor
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 13.58 грн |
| 53+ | 13.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13616STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13616STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD13616STU за ціною від 17.22 грн до 77.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD13616STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13616STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13616STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 63735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13616STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13616STU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 5509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13616STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13616STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD13616STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13616STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13616STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |



