BD136G ON Semiconductor
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 20.35 грн |
30+ | 19.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD136G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD136G за ціною від 21.16 грн до 74.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD136G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 1.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 13617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 45V 12.5W PNP |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD136G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON | 0615+ |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON | 0615+ |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BD136G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |