BD13716S ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.09 грн |
| 23+ | 33.03 грн |
| 100+ | 24.41 грн |
| 500+ | 18.30 грн |
| 1000+ | 12.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13716S ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції BD13716S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD13716S | onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD13716S |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)