Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD13716STU
BD13716STU

BD13716STU ON Semiconductor

bd139-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+45.36 грн
321+40.30 грн
396+32.65 грн
540+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13716STU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.

Інші пропозиції BD13716STU за ціною від 18.20 грн до 85.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD13716STU BD13716STU Виробник : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+48.72 грн
60+43.28 грн
120+35.06 грн
540+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.44 грн
12+35.17 грн
25+31.22 грн
60+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.36 грн
60+35.89 грн
120+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.41 грн
10+37.61 грн
100+29.00 грн
500+22.94 грн
1000+21.82 грн
1920+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU Виробник : ON-Semiconductor BD135%2C137%2C139.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU Виробник : ON-Semiconductor BD135%2C137%2C139.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.