BD13716STU ON Semiconductor
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 19.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13716STU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції BD13716STU за ціною від 15.86 грн до 60.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD13716STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD13716STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 10379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD13716STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 13093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 672 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BD13716STU | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BD13716STU | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |