BD13716STU ON Semiconductor
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1920+ | 21.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13716STU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції BD13716STU за ціною від 18.21 грн до 93.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD13716STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Collector-emitter voltage: 60V Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Collector-emitter voltage: 60V Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Collector current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD13716STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD13716STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 4762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD13716STU | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BD13716STU | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BD13716STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
товару немає в наявності |