Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD13716STU
BD13716STU

BD13716STU ON Semiconductor

bd139-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13716STU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.

Інші пропозиції BD13716STU за ціною від 18.42 грн до 86.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD13716STU BD13716STU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.53 грн
25+30.63 грн
60+28.41 грн
120+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEC24365A52760C7&compId=BD135_137_139.PDF?ci_sign=ed61a8e0a1d8f9b6d2a5b3d06ee2e35622c013db Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.84 грн
25+38.17 грн
60+34.09 грн
120+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : onsemi BD135%2C137%2C139.pdf Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
60+37.59 грн
120+33.42 грн
540+24.85 грн
1020+22.75 грн
2040+20.81 грн
5040+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU Виробник : ON-Semicoductor BD135%2C137%2C139.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU Виробник : ON-Semicoductor BD135%2C137%2C139.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13716STU BD13716STU Виробник : onsemi / Fairchild BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.