BD13716STU ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 25.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13716STU ON-Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.25 W.
Інші пропозиції BD13716STU за ціною від 17.86 грн до 83.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD13716STU | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stuкількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13716STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 12167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13716STU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 12167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13716STU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1.5A Case: TO126ISO Mounting: THT Power dissipation: 12.5W Current gain: 100...250 Kind of package: tube |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD13716STU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 9865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13716STU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 6622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.11 грн |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 12167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 275+ | 51.43 грн |
| 309+ | 45.79 грн |
| 389+ | 36.31 грн |
| 540+ | 29.96 грн |
| 1020+ | 25.90 грн |
| 2040+ | 24.47 грн |
| 5040+ | 22.18 грн |
| 10020+ | 21.42 грн |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 12167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 51.73 грн |
| 60+ | 46.05 грн |
| 120+ | 36.52 грн |
| 540+ | 30.13 грн |
| 1020+ | 26.05 грн |
| 2040+ | 24.61 грн |
| 5040+ | 22.31 грн |
| 10020+ | 21.54 грн |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Power dissipation: 12.5W
Current gain: 100...250
Kind of package: tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 75.70 грн |
| 11+ | 41.09 грн |
| 25+ | 35.56 грн |
| 60+ | 31.21 грн |
| 120+ | 28.20 грн |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 9865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.68 грн |
| 60+ | 36.45 грн |
| 120+ | 32.40 грн |
| 540+ | 24.10 грн |
| 1020+ | 22.06 грн |
| 2040+ | 20.18 грн |
| 5040+ | 17.86 грн |
| BD13716STU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




