Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BD137G біполярний транзистор NPN ON

BD137G біполярний транзистор NPN ON

bd137-datasheet.pdf
Код товару: 148260
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: TO-225
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BD137G біполярний транзистор NPN за ціною від 22.00 грн до 79.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.88 грн
25+30.79 грн
100+27.74 грн
500+23.99 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.88 грн
1000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G ONSEMI BD137.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.32 грн
13+33.16 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G onsemi BD135-D.PDF Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+48.43 грн
100+31.81 грн
500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G onsemi BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137G ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G bd135-d.pdf
BD137G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.88 грн
25+30.79 грн
100+27.74 грн
500+23.99 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G bd135-d.pdf
BD137G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
384+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G bd135-d.pdf
BD137G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+38.88 грн
1000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD137.PDF
BD137G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1.5A
Case: TO225
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12W
Kind of package: bulk
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.32 грн
13+33.16 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD135-D.PDF
BD137G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+48.43 грн
100+31.81 грн
500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD137G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G BD135-D.PDF
BD137G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD137G bd135-d.pdf
BD137G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.