BD138G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 17.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
46 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD138G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD138G за ціною від 34.61 грн до 121.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD138G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BD138G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BD138G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BD138G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP |
на замовлення 706 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BD138G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD138G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 37.85 грн |
| BD138G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 632+ | 58.01 грн |
| 1000+ | 53.50 грн |
| BD138G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 632+ | 58.01 грн |
| 1000+ | 53.50 грн |
| BD138G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 632+ | 58.01 грн |
| 1000+ | 53.50 грн |
| BD138G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.03 грн |
| 10+ | 72.44 грн |
| 100+ | 48.38 грн |
| 500+ | 35.71 грн |
| BD138G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
на замовлення 706 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.13 грн |
| 10+ | 75.88 грн |
| 100+ | 44.09 грн |
| 500+ | 34.61 грн |
| BD138G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)