BD13910STU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1219+ | 26.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13910STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BD13910STU за ціною від 18.03 грн до 93.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD13910STU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD13910STU | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 1619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD13910STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD13910STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD13910STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD13910STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BD139-10STU | Виробник : STMicroelectronics |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-126ISO Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |