BD13910STU ON Semiconductor


bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1219+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 1219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13910STU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BD13910STU за ціною від 21.74 грн до 80.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.49 грн
420+33.75 грн
504+28.10 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD13910STU ONSEMI ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.13 грн
18+46.33 грн
100+30.32 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD13910STU onsemi BD139-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.68 грн
19+41.27 грн
100+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.09 грн
19+41.49 грн
100+33.75 грн
500+27.09 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD13910STU onsemi BD139-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD13910STU ON Semiconductor bd139-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STU STMicroelectronics BD135-BD140_STM.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+50.12 грн
100+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+41.49 грн
420+33.75 грн
504+28.10 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU ONSM-S-A0013178725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.13 грн
18+46.33 грн
100+30.32 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD139-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.68 грн
19+41.27 грн
100+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.09 грн
19+41.49 грн
100+33.75 грн
500+27.09 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU BD139-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STU bd139-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STU BD135-BD140_STM.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+50.12 грн
100+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.