BD139-10 STMicroelectronics
на замовлення 6126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 8.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD139-10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-32, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD139-10 за ціною від 6.24 грн до 36.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 6102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Frequency: 50MHz Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 63...160 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 6126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Frequency: 50MHz Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 63...160 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr |
на замовлення 10681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD139-10 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139-10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-32 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BD139-10 | Виробник : ST |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube BD139-10 STM TBD13910 STM кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BD139-10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BD13910 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |