BD139-10 CDIL
Виробник: CDIL
BD139-10 Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; TBD13910
на замовлення 500 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 83+ | 7.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-60 дні (днів)
Мінімальна партія:
83 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD139-10 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD139-10 за ціною від 7.20 грн до 95.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD139-10 | ST |
BD139-10 Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; TBD13910 STM |
на замовлення 700 шт: термін постачання 31-60 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD139-10 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 5778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD139-10 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 5783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD139-10 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: SOT32 Current gain: 63...160 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD139-10 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr |
на замовлення 33966 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD139-10 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD139-10 | STMicroelectronics |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: ST
BD139-10 Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; TBD13910 STM
BD139-10 Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; TBD13910 STM
на замовлення 700 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 10.30 грн |
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 481+ | 30.35 грн |
| 547+ | 26.68 грн |
| 721+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 17.50 грн |
| 2000+ | 13.31 грн |
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 5783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.86 грн |
| 26+ | 30.08 грн |
| 100+ | 26.45 грн |
| 500+ | 19.34 грн |
| 1000+ | 16.06 грн |
| 2000+ | 12.67 грн |
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 76.52 грн |
| 19+ | 22.99 грн |
| 50+ | 18.81 грн |
| 86+ | 11.03 грн |
| 237+ | 10.45 грн |
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 33966 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.01 грн |
| 10+ | 46.86 грн |
| 100+ | 33.63 грн |
| 500+ | 22.52 грн |
| 1000+ | 16.59 грн |
| 12000+ | 14.45 грн |
| 30000+ | 11.48 грн |
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.32 грн |
| 50+ | 42.69 грн |
| 100+ | 37.93 грн |
| 500+ | 27.73 грн |
| 1000+ | 25.20 грн |
| 2000+ | 23.06 грн |
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.60 грн |
| 100+ | 7.20 грн |




