Продукція > CDIL > BD139-10
BD139-10

BD139-10 CDIL

info-tbd13725.pdf
Виробник: CDIL
Transistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD139-10 CDIL

Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-32, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BD139-10 за ціною від 5.85 грн до 92.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BD139-10 BD139-10 ST TBD13910_STM_0001.pdf Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+27.78 грн
580+24.41 грн
767+18.45 грн
1000+15.95 грн
2000+13.23 грн
4000+10.24 грн
10000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.94 грн
15+28.85 грн
17+25.03 грн
50+18.16 грн
100+15.95 грн
500+12.13 грн
1000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 MULTICOMP PRO 2861636.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.50 грн
31+27.22 грн
100+18.42 грн
500+12.83 грн
1000+10.15 грн
5000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.23 грн
38+21.79 грн
100+17.93 грн
500+12.60 грн
1000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.83 грн
28+27.91 грн
100+24.53 грн
500+17.88 грн
1000+14.83 грн
2000+12.75 грн
4000+10.29 грн
10000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 16467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.93 грн
10+44.58 грн
100+30.94 грн
500+19.17 грн
1000+14.10 грн
2000+12.55 грн
4000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10 STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
50+41.81 грн
100+37.15 грн
500+27.16 грн
1000+24.68 грн
2000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 STMicroelectronics BD135-6-9-140_STM.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+12.48 грн
100+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 TBD13910_STM_0001.pdf
BD139-10
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
510+27.78 грн
580+24.41 грн
767+18.45 грн
1000+15.95 грн
2000+13.23 грн
4000+10.24 грн
10000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD139-10-STMicroelectronics.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+42.94 грн
15+28.85 грн
17+25.03 грн
50+18.16 грн
100+15.95 грн
500+12.13 грн
1000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 2861636.pdf
BD139-10
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+43.50 грн
31+27.22 грн
100+18.42 грн
500+12.83 грн
1000+10.15 грн
5000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 2307016.pdf
BD139-10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+45.23 грн
38+21.79 грн
100+17.93 грн
500+12.60 грн
1000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 cd0000122.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+61.83 грн
28+27.91 грн
100+24.53 грн
500+17.88 грн
1000+14.83 грн
2000+12.75 грн
4000+10.29 грн
10000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 16467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.93 грн
10+44.58 грн
100+30.94 грн
500+19.17 грн
1000+14.10 грн
2000+12.55 грн
4000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 bd139.pdf
BD139-10
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
50+41.81 грн
100+37.15 грн
500+27.16 грн
1000+24.68 грн
2000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 BD135-6-9-140_STM.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
50+12.48 грн
100+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.