BD13916S

BD13916S onsemi / Fairchild


BD139_D-1802507.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.53 грн
10+35.91 грн
100+23.28 грн
500+18.33 грн
1000+15.26 грн
2000+12.89 грн
10000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13916S onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.25 W.

Інші пропозиції BD13916S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD13916S BD13916S Виробник : onsemi BD139-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916S BD13916S Виробник : ONSEMI BD135_137_139.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.