
BD13916S onsemi / Fairchild
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 44.28 грн |
10+ | 37.39 грн |
100+ | 24.24 грн |
500+ | 19.08 грн |
1000+ | 15.89 грн |
2000+ | 13.42 грн |
10000+ | 11.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13916S onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції BD13916S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD13916S | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
BD13916S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BD13916S | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.25W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BD13916S | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BD13916S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BD13916S | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1.25W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |