
BD139G ON Semiconductor
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
659+ | 18.54 грн |
665+ | 18.35 грн |
691+ | 17.66 грн |
692+ | 17.01 грн |
730+ | 14.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD139G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BD139G за ціною від 15.35 грн до 96.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W |
на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BD139G Код товару: 194229
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |