Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BD139G за ціною від 12.27 грн до 109.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD139G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W |
на замовлення 4492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD139G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BD139G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
BD139G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
BD139G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk |
товару немає в наявності |