Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD139G
BD139G

BD139G ON Semiconductor

bd135-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
474+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 474
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD139G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BD139G за ціною від 24.80 грн до 120.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.69 грн
26+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.70 грн
1000+31.46 грн
2500+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.30 грн
10+46.31 грн
100+31.72 грн
200+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.11 грн
10+61.14 грн
100+40.52 грн
500+29.72 грн
1000+27.05 грн
2000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 608 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.16 грн
10+57.71 грн
100+38.07 грн
200+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : onsemi bd135-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.74 грн
10+60.49 грн
100+37.34 грн
500+27.69 грн
1000+25.87 грн
3000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.68 грн
14+66.73 грн
100+47.30 грн
500+32.63 грн
1000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G
Код товару: 194229
Додати до обраних Обраний товар

bd135-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.