Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD139G
BD139G

BD139G ON Semiconductor

bd135-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
503+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD139G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BD139G за ціною від 22.16 грн до 115.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+28.01 грн
27+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+34.44 грн
1000+30.87 грн
2500+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.05 грн
10+45.59 грн
25+39.31 грн
100+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ONSEMI bd135-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO225
Current gain: 40...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
10+56.81 грн
25+47.17 грн
100+38.65 грн
200+35.18 грн
250+34.29 грн
500+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 6222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.20 грн
10+61.53 грн
100+40.81 грн
500+29.93 грн
1000+27.24 грн
2000+24.98 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : onsemi BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.00 грн
10+60.63 грн
100+37.42 грн
500+27.75 грн
1000+25.93 грн
3000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013777019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.62 грн
15+62.70 грн
100+43.58 грн
500+33.61 грн
1000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G
Код товару: 194229
Додати до обраних Обраний товар

bd135-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139G BD139G Виробник : ON Semiconductor bd135-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.