BD14010STU ON Semiconductor
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD14010STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD14010STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD14010STU за ціною від 24.50 грн до 105.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD14010STU | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - BD14010STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD14010STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD14010STU | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Current gain: 63...160 Collector current: 1.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO126ISO Collector-emitter voltage: 80V |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD14010STU | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Current gain: 63...160 Collector current: 1.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO126ISO Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD14010STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BD14010STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BD14010STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |