Технічний опис BD140G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD140G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD140G за ціною від 24.91 грн до 107.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD140G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BD140G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BD140G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BD140G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Kind of package: bulk Case: TO225 Collector current: 1.5A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 40...250 |
на замовлення 441 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BD140G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BD140G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BD140G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD140G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
BD140G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP |
на замовлення 5591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD140G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.91 грн |
| BD140G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 567+ | 24.91 грн |
| BD140G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 56.50 грн |
| BD140G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Kind of package: bulk
Case: TO225
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 40...250
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225
Kind of package: bulk
Case: TO225
Collector current: 1.5A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 40...250
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 96.42 грн |
| 10+ | 57.91 грн |
| 50+ | 44.52 грн |
| 100+ | 40.00 грн |
| 250+ | 34.81 грн |
| BD140G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.14 грн |
| 10+ | 65.29 грн |
| 100+ | 43.54 грн |
| 500+ | 32.10 грн |
| 1000+ | 29.28 грн |
| 2000+ | 26.91 грн |
| BD140G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD140G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD140G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD140G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






