BD17510STU ON Semiconductor
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 943+ | 33.07 грн |
| 1022+ | 30.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD17510STU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 3A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції BD17510STU за ціною від 20.68 грн до 85.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD17510STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD17510STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 24960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD17510STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD17510STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD17510STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD17510STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 3A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD17510STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BD17510STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD17510STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BD17510STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товару немає в наявності |

