Інші пропозиції BD179 за ціною від 26.19 грн до 70.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD179 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD179 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BD179 |
|
на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| BD179 | Виробник : STM |
TRANS NPN 80V 3A BIPO TO-225 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| BD179 | Виробник : STMicroelectronics |
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=3A, P=30W, B=40-250, f... Група товару: Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
BD179 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BD179 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 3A SOT-32Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2V, 1A Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BD179 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
BD179 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw |
товару немає в наявності |



