.JPG "BD179G")
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BD179G за ціною від 27.88 грн до 29.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD179G | Виробник : On Semiconductor |
 NPN, Uce=80V, Ic=3.0A, hFE=63...160, -65...+150, TO-126 PBF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 266 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
 |
BD179G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| BD179G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD179G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BD179G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 30, Uceo, В = 80, Ic = 3 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 3, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. в кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
||||||
| BD179G | Виробник : STM |
TO-126 PBF Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
BD179G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
товару немає в наявності |
|||||
 |
BD179G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
товару немає в наявності |