
BD180G ON Semiconductor
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 49.13 грн |
15+ | 41.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD180G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD180G за ціною від 27.07 грн до 97.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD180G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |