Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD180G
BD180G

BD180G ON Semiconductor

bd180d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+27.09 грн
29+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD180G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BD180G за ціною від 24.77 грн до 93.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD180G BD180G Виробник : onsemi bd180-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.77 грн
10+54.65 грн
100+36.15 грн
500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD180G BD180G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.09 грн
14+58.85 грн
100+38.94 грн
500+27.36 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BD180G BD180G Виробник : ON Semiconductor bd180d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD180G Виробник : On Semiconductor BD180_D-2310580.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=1.0A, hFE=15...250, 30Вт, TO-225-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD180G BD180G Виробник : onsemi BD180-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.