BD2320EFJ-LAE2 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BD2320EFJ-LAE2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), HTSOP-J
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: HTSOP-J
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 7.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 14.5V
Eingabeverzögerung: 27ns
Ausgabeverzögerung: 29ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 64.37 грн |
| 250+ | 58.85 грн |
| 500+ | 58.36 грн |
| 1000+ | 57.79 грн |
| 2500+ | 57.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD2320EFJ-LAE2 ROHM
Description: ROHM - BD2320EFJ-LAE2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), HTSOP-J, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: HTSOP-J, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 7.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14.5V, Eingabeverzögerung: 27ns, Ausgabeverzögerung: 29ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BD2320EFJ-LAE2 за ціною від 57.23 грн до 308.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD2320EFJ-LAE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Driver 4.5A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin HTSOP-J EP T/R |
на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BD2320EFJ-LAE2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BD2320EFJ-LAE2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), HTSOP-J tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: HTSOP-J Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 7.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14.5V Eingabeverzögerung: 27ns Ausgabeverzögerung: 29ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BD2320EFJ-LAE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: 8-HTSOP-J Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BD2320EFJ-LAE2 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Gate Drivers 3.5A 100 V VB HIGH AND |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BD2320EFJ-LAE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Driver 4.5A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin HTSOP-J EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BD2320EFJ-LAE2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V Supplier Device Package: 8-HTSOP-J Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side and Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |