BD2320EFJ-LAE2 ROHM Semiconductor


datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Gate Drivers 3.5A 100 V VB HIGH AND
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.58 грн
10+129.40 грн
25+102.86 грн
100+91.82 грн
250+86.98 грн
500+84.22 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD2320EFJ-LAE2 ROHM Semiconductor

Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, DigiKey Programmable: Not Verified, Part Status: Active, Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A, Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V, Gate Type: N-Channel MOSFET, Number of Drivers: 2, Driven Configuration: High-Side and Low-Side, Channel Type: Independent, Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns, Supplier Device Package: 8-HTSOP-J, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V, Input Type: Non-Inverting, Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BD2320EFJ-LAE2 за ціною від 80.32 грн до 272.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD2320EFJ-LAE2 BD2320EFJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.60 грн
10+168.35 грн
25+143.83 грн
100+108.92 грн
250+96.12 грн
500+88.25 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Gate Type: N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.60 грн
10+168.35 грн
25+143.83 грн
100+108.92 грн
250+96.12 грн
500+88.25 грн
1000+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.