BD233STU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 45V 2A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1514+ | 13.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD233STU Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 45V 2A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції BD233STU за ціною від 11.63 грн до 14.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD233STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 2A 25000mW 3-Pin TO-126 Rail |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BD233STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD233STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
BD233STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 2A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 25 W |
товару немає в наявності |