на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD237 ST
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Можливі заміни BD237 ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
HT SEMI |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 546 шт
|
|
| BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: HT SEMI
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 546 шт
- 482 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.20 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
Аналог BD237 ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 (LGE) Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
|
LGE |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 319 шт
|
|
| BD237 (LGE) Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: LGE
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 319 шт
- 165 шт - склад
- 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |
Інші пропозиції BD237 за ціною від 5.20 грн до 60.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 (LGE) Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
|
LGE |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 319 шт
|
|
||||||||||||||||
|
BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
HT SEMI |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 546 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD237 | HT SEMI |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 153804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 153840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 5094 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD237 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BD237 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BD237 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BD237 | STM |
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| BD237 (LGE) Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: LGE
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 319 шт
- 165 шт - склад
- 55 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |
| BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: HT SEMI
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 546 шт
- 482 шт - склад
- 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.20 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.89 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.89 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.89 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.19 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.84 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 15.32 грн |
| 4000+ | 14.84 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 153804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 658+ | 21.46 грн |
| 761+ | 18.56 грн |
| 1004+ | 14.06 грн |
| 1159+ | 11.75 грн |
| 2000+ | 10.05 грн |
| 4000+ | 9.35 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 153840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 47.28 грн |
| 35+ | 21.51 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
| 500+ | 13.59 грн |
| 1000+ | 10.90 грн |
| 2000+ | 9.67 грн |
| 4000+ | 9.36 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 5094 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.70 грн |
| 13+ | 33.52 грн |
| 50+ | 24.72 грн |
| 100+ | 21.76 грн |
| 500+ | 16.08 грн |
| 1000+ | 14.14 грн |
| 2000+ | 12.53 грн |
| 4000+ | 11.77 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.92 грн |
| 50+ | 26.70 грн |
| 100+ | 23.55 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







