BD237 (LGE)
Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: LGE
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 357 шт
- 165 шт - склад
- 59 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 53 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни BD237 (LGE) LGE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
HT SEMI |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 589 шт
|
|
| BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: HT SEMI
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 589 шт
- 517 шт - склад
- 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.20 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
Інші пропозиції BD237 (LGE) за ціною від 5.91 грн до 60.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD237 | HT SEMI |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 164980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 164980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD237 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
на замовлення 4303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BD237 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BD237 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BD237 | STM |
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.91 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.91 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.12 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.12 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 952+ | 14.77 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 17.51 грн |
| 100+ | 17.06 грн |
| 500+ | 16.01 грн |
| 1000+ | 14.87 грн |
| 2000+ | 13.46 грн |
| 4000+ | 12.66 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 164980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 514+ | 27.36 грн |
| 594+ | 23.68 грн |
| 784+ | 17.93 грн |
| 1000+ | 14.98 грн |
| 2000+ | 12.82 грн |
| 4000+ | 11.85 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 49.67 грн |
| 14+ | 31.30 грн |
| 16+ | 27.10 грн |
| 50+ | 19.35 грн |
| 100+ | 17.05 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 164980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 60.48 грн |
| 28+ | 27.50 грн |
| 100+ | 23.80 грн |
| 500+ | 17.38 грн |
| 1000+ | 13.95 грн |
| 2000+ | 12.37 грн |
| 4000+ | 11.91 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.81 грн |
| 50+ | 26.58 грн |
| 100+ | 23.46 грн |
| 500+ | 16.85 грн |
| 1000+ | 15.19 грн |
| 2000+ | 13.79 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| BD238 Код товару: 174169
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 3 МГц
Напруга Uке, В: 100 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 2 А
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Гранична частота fT, МГц: 3 МГц
Напруга Uке, В: 100 В
Напруга Uкб, В: 100 В
Струм Iк, А: 2 А
у наявності: 1037 шт
- 996 шт - склад
- 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.00 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
18
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 55740 шт
- 49716 шт - склад
- 672 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3709 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1446 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 197 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| BD139 Код товару: 191983
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: CJ
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 190 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 1,5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 190 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 1,5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 398 шт
- 273 шт - склад
- 120 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.40 грн |
| 0,05 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R05-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 183103
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,05 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,05 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1428 шт
- 1208 шт - склад
- 100 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 120 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| BZV55-C9V1 Код товару: 1362
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 9,1 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5,5 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 9,1 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5,5 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 9333 шт
- 6863 шт - склад
- 976 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 366 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 605 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 523 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |











