BD237 ON
Код товару: 174215
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: TO-225
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни BD237 ON
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
HT SEMI |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 554 шт
|
|
| BD237 Код товару: 214270
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: HT SEMI
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 554 шт
- 482 шт - склад
- 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.20 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
Аналог BD237 ON
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD237 (LGE) Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
|
LGE |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-126 Гранична частота fT: 3 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 347 шт
|
|
| BD237 (LGE) Код товару: 126623
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: LGE
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 2 А
Монтаж: THT
у наявності: 347 шт
- 165 шт - склад
- 59 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.50 грн |
| 10+ | 5.80 грн |
| 100+ | 5.20 грн |
Інші пропозиції BD237 за ціною від 5.91 грн до 61.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | LGE |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | HT SEMI |
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 bкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | ST |
NPN 2A 80V 25W 3MHz BD237 TBD237кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 155610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 5320 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 155610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD237 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BD237 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BD237 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BD237 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD237 | STM |
NPN, Uкэ=80V, Iк=2A (6 имп.), h21=25...40, 25Вт, 3МГц, SOT-32 (комплементарный BD238) Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.91 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.91 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD237-ST; TBD237; BD237 TBD237 b
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.91 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.22 грн |
| BD237 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.22 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.87 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 15.35 грн |
| 4000+ | 14.87 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 155610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 512+ | 27.66 грн |
| 591+ | 23.94 грн |
| 781+ | 18.12 грн |
| 1000+ | 15.15 грн |
| 2000+ | 12.96 грн |
| 4000+ | 11.36 грн |
| 10000+ | 9.89 грн |
| 24000+ | 9.32 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 50.58 грн |
| 14+ | 31.87 грн |
| 16+ | 27.59 грн |
| 50+ | 19.71 грн |
| 100+ | 17.36 грн |
| 500+ | 14.59 грн |
| 1000+ | 13.59 грн |
| 2000+ | 12.75 грн |
| 4000+ | 11.91 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 155610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 60.72 грн |
| 28+ | 27.62 грн |
| 100+ | 23.91 грн |
| 500+ | 17.45 грн |
| 1000+ | 14.01 грн |
| 2000+ | 12.42 грн |
| 4000+ | 11.36 грн |
| 10000+ | 9.88 грн |
| 24000+ | 9.31 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 2A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.92 грн |
| 50+ | 27.01 грн |
| 100+ | 23.83 грн |
| 500+ | 17.12 грн |
| 1000+ | 15.43 грн |
| 2000+ | 14.01 грн |
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD237 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BD237 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







