BD237G
Код товару: 190177
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BD237G за ціною від 25.92 грн до 88.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD237G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Current gain: 40 |
на замовлення 471 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BD237G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BD237G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BD237G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD237G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 79.29 грн |
| 10+ | 48.31 грн |
| 25+ | 41.03 грн |
| 100+ | 32.35 грн |
| 250+ | 27.88 грн |
| BD237G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.92 грн |
| 10+ | 53.61 грн |
| 100+ | 35.43 грн |
| 500+ | 25.92 грн |
| BD237G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)