BD237G ON Semiconductor
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 36.81 грн |
| 17+ | 34.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD237G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції BD237G за ціною від 19.58 грн до 63.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD237G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD237G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN |
на замовлення 3858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 25W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 3MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2A |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BD237G Код товару: 190177 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Mounting: THT Case: TO225 Kind of package: bulk Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 40 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 25W Polarisation: bipolar Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BD237G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Mounting: THT Case: TO225 Kind of package: bulk Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 40 Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 25W Polarisation: bipolar Frequency: 3MHz |
товар відсутній |