BD237G


bd237-d.pdf
Код товару: 190177
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BD237G за ціною від 17.92 грн до 92.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD237G BD237G ONSEMI bd237-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.49 грн
10+46.66 грн
25+39.96 грн
100+32.24 грн
250+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G BD237G onsemi bd237-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.60 грн
10+53.98 грн
100+35.67 грн
500+26.10 грн
1000+23.72 грн
2000+21.72 грн
5000+19.23 грн
10000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G BD237G onsemi bd237-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.92 грн
10+57.31 грн
100+32.92 грн
500+25.66 грн
1000+21.36 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G BD237G ONSEMI ONSM-S-A0013215093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.92 грн
15+57.56 грн
100+38.40 грн
500+28.40 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G bd237-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 2A
Power dissipation: 25W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Current gain: 40
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+79.49 грн
10+46.66 грн
25+39.96 грн
100+32.24 грн
250+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G bd237-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.60 грн
10+53.98 грн
100+35.67 грн
500+26.10 грн
1000+23.72 грн
2000+21.72 грн
5000+19.23 грн
10000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G bd237-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.92 грн
10+57.31 грн
100+32.92 грн
500+25.66 грн
1000+21.36 грн
5000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD237G ONSM-S-A0013215093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.92 грн
15+57.56 грн
100+38.40 грн
500+28.40 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.