BD237STU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 26.16 грн |
| 33+ | 23.25 грн |
| 36+ | 21.09 грн |
| 50+ | 19.09 грн |
| 100+ | 16.79 грн |
| 500+ | 15.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD237STU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції BD237STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD237STU | ON Semiconductor / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD237STU |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)