Технічний опис BD239ATU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції BD239ATU за ціною від 24.51 грн до 24.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD239ATU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BD239ATU | ON Semiconductor / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD239ATU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1444+ | 24.51 грн |
| BD239ATU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




