Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > BD239CTU
BD239CTU

BD239CTU onsemi / Fairchild

BD239C_D-1802628.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.91 грн
10+35.92 грн
100+26.51 грн
500+25.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD239CTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції BD239CTU за ціною від 30.90 грн до 103.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor bd239c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+56.35 грн
500+50.71 грн
1000+46.77 грн
10000+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor bd239c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+56.35 грн
500+50.71 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor bd239c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+56.35 грн
500+50.71 грн
1000+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : onsemi bd239c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.84 грн
50+47.25 грн
100+42.05 грн
500+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU Виробник : ONSEMI product.do?id=BD239CTU Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor 3650222351752895bd239b.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.