BD239CTU onsemi / Fairchild
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 43.70 грн |
| 10+ | 35.75 грн |
| 100+ | 26.39 грн |
| 500+ | 25.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD239CTU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції BD239CTU за ціною від 30.75 грн до 103.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD239CTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BD239CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BD239CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BD239CTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BD239CTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 31265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
BD239CTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BD239CTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BD239CTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: tube |
товару немає в наявності |