Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD239CTU
BD239CTU

BD239CTU ON Semiconductor

bd239cd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
638+55.07 грн
1000+50.79 грн
10000+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD239CTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції BD239CTU за ціною від 29.92 грн до 100.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD239CTU BD239CTU ON Semiconductor bd239cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+55.07 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU ON Semiconductor bd239cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+55.07 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU onsemi BD239C-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.83 грн
50+45.76 грн
100+40.73 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU onsemi BD239C-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU ONSEMI product.do?id=BD239CTU Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU bd239cd.pdf
BD239CTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
638+55.07 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU bd239cd.pdf
BD239CTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
638+55.07 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239C-D.pdf
BD239CTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.83 грн
50+45.76 грн
100+40.73 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239C-D.pdf
BD239CTU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU product.do?id=BD239CTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.