Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD239CTU
BD239CTU

BD239CTU ON Semiconductor

bd239c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
743+41.08 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 743
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD239CTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції BD239CTU за ціною від 24.28 грн до 109.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor bd239c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
743+41.08 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 743
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor bd239c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
743+41.08 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 743
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : onsemi / Fairchild BD239C_D-1802628.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.40 грн
10+34.69 грн
100+25.60 грн
500+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : onsemi bd239c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
50+49.67 грн
100+44.21 грн
500+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU Виробник : ONSEMI product.do?id=BD239CTU Description: ONSEMI - BD239CTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 31265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ON Semiconductor 3650222351752895bd239b.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ONSEMI BD239x.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD239CTU BD239CTU Виробник : ONSEMI BD239x.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.