Технічний опис BD241CG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BD241CG за ціною від 38.38 грн до 95.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD241CG | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BD241CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BD241CG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BD241CG | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BD241CG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W NPN |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BD241CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BD241CG | ON |
05+06+ |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD241CG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 770+ | 45.85 грн |
| 1000+ | 42.28 грн |
| BD241CG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 61.93 грн |
| 100+ | 54.96 грн |
| BD241CG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 228+ | 61.97 грн |
| 257+ | 55.00 грн |
| BD241CG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.41 грн |
| 50+ | 43.15 грн |
| 100+ | 38.38 грн |
| BD241CG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 40W NPN
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD241CG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)