Технічний опис BD242BG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 300µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції BD242BG за ціною від 28.79 грн до 97.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BD242BG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W PNP |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BD242BG | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BD242BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD242BG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 30347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| 10000+ | 37.63 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| 10000+ | 37.63 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 771+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 42.20 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.42 грн |
| 50+ | 44.14 грн |
| 100+ | 39.26 грн |
| 500+ | 28.79 грн |
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD242BG |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 40W PNP
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 3A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD242BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD242BG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD242BG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





